濾波電流在鑲入式中的選擇

濾波電流在鑲入式中的選擇
高電容量和低ESR技術
有多種技術已可實現單位體積電容量的優化。例如，涂層片式鉭電容技術，該技術去除了常規模壓固體鉭電容的引線框結構，同時這種類似于半導體特殊封裝的技術大大降低平均尺寸。 Vishay已經開發了涂層鉭片式技術，用于滿足NASA要求的電容使用。這些產品遠遠超過了常規模壓表面安裝鉭電容(SMD)的容積效率。不過設計師們還需要使ESR最小化，而這一要求刺激了多種候選方案。
Polymer鋁電容
Polymer鋁電容具有非常低的ESR，在10 m 或更小的范圍，它填充了高電容量多層陶瓷電容(MLCC)和鉭聚合物電容之間的應用空間。不過，盡管它們滿足了濾波應用中所需的ESR要求，但它們的容積效率通常要比鉭技術小很多。在組裝空間十分珍貴的應用中，這種技術必須讓位于其它技術如鉭式技術等。
固體鉭電容
固體鉭電容有標準和低ESR兩種類型。兩種類型均采用通常的引線框結構制作。固體鉭低ESR類型所具有的ESR值100 KHz 時在100 m 范圍。由于ESR值取決于陽極的外表面，因此較大的外形尺寸一般都擁有較低的ESR值。固體鉭電容方面大量的粉末研制工作產生了新的更低水平的ESR值。另外浪涌電壓方面也得到改進使固體鉭技術功能更強大。
Polymer鉭電容
Polymer鉭電容運用了新式高導電性的聚合物。高導電性聚合物用于陰極而非二氧化錳。聚合物陰極在導電率上的改善帶來更低的阻抗和更低的ESR。低阻抗還帶來優異的高頻濾波響應。Polymer鉭電容技術擁有最低的ESR，大大低于相近尺寸的常規固體鉭電容。事實上，引線框結構主要制約給定外形尺寸下可用電容量。
多陽極鉭電容
現今，高容積和低ESR的雙重要求正在由一種3-D的封裝方式來解決，它是一種多陽極鉭電容，該結構去除了常規的引線框。此結構在小型化SMD封裝下取得了高電容量，并可以與常規模壓鉭器件引腳兼容。重要的是，該技術取得了非常低而穩定的ESR。

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